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微米级硫化物半导体的红外发射率研究

资料类型：

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关键词：

硫化物半导体红外发射率晶格畸变晶格振动

资料大小：

327K

所属学科：

通用高分子材料

来源：

来源网络

简介：

为了制备出在8～14&micro；m红外波段具有较低红外发射率的粉体，以硫化镉（CdS）、硫化锌（ZnS）为原料，采用了气氛固相烧结法制备了微米级的CdZnS固溶体粉体。采用XRD、BET（ASAT2010）比表面仪表征，研究了粉体的结构、粒度等特征。通过IR-1红外发射率测量仪器测试了粉体在8～14&micro；m波段的红外发射率。着重讨论了粉体的晶格畸变和8～14&micro；m波段红外发射率之间的关系，并对此给出了一定的解释。

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2007-07-17 16:47:45

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相关评论 共有3人发表评论

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zszhong 2009-07-13 16:26:15

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zszhong 2009-07-13 16:26:08

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zszhong 2009-07-13 16:25:58

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